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APTGT75H120TG中文资料

  • 大小:258.47KB
  • 厂家:MICROSEMI
  • 描述:LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:IGBT
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):110A
  • 电流 - 集电极截止(最大):250µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies):5.34nF @ 25V
  • 功率 - 最大:357W
  • 输入:标准型
  • NTC 热敏电阻:是
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP4
  • 供应商设备封装:SP4

APTGT75H120TG供应商

更新时间:2023-01-28 20:10:56
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